CSPM5500系列掃描探針顯微鏡納米加工系統

精確的路徑位移定位

自定義圖形載入功能

可以在納米級尺度上加工任意需要的複雜結構

    利用電致刻蝕技術，可以在納米級尺度上加工任意需要的複雜結構。   

    電致刻蝕主要由一個施加在樣品與表面間的脈衝電壓引起，當所加電壓超過閾值時，暴露在電場下的樣品表面會發生化學或物理變化。這些變化或者可逆或者不可逆，其機理可以直接歸因於電場效應，高度局域化的強電場可以誘導原子的場蒸發，也可以由電流焦耳熱或原子電遷移引起樣品表面的變化。通過控制脈衝寬度和脈幅可以限制刻蝕表面的橫向解析度，這些變化通常不僅表現在表面形貌上，通過檢測其導電性、dI/dS、dI/dV、摩擦力還可以分辨出襯底的修飾情況。

    操縱微探針以可控的作用力對樣品表面進行局域施壓,使樣品發生彈性/塑性形變；也可在施壓的同時，控制探針以一定的路徑和速度在樣品運動，對樣品進行機械刻畫。

    基於掃描探針顯微鏡(SPM)系統的壓痕/機械刻畫功能，為在納米尺度上評價材料的機械和運動性能，或在樣品表面構建特定的納米結構提供了一種方便實用的研究手段。

    系統提供一個向量腳本編譯器，允許用戶任意指定掃描方向、距離、速度及加工參數（如作用力、電流、電壓等），直接操縱探針運動，同時靈活測定各種信號和資料。

    DPN(Dip-Pen Nanolithography)浸潤筆利用已作過分子修飾的探針，通過控制探針與樣品間的相互作用條件，來實現探針針尖到樣品表面的分子傳輸。

    DPN實際上是一種簡便的從探針針尖到樣品表面的輸運分子的方法，其解析度可媲美電子束刻蝕等方法，對納米器件的功能化更為有用。